冠醚除钠的局限性

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【摘要】

：

本文分析了冠醚分子在SiO2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na+沾污,对SiO2层深处的Na+并无作用.更多还原

【作者】

：

吴应前

【机构】

：

四川大学物理系成都610064

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1993年2期

【关键词】

：

半导体器件清洗冠醚除钠 SIO2

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