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要具有纳米孔洞的氧化铝膜板上，用电化学的方法制备了钴纳米线有序阵列，磁性测量显示易磁化方向平行于纳米线，矫顽力较块材有很大提高，可作为垂直磁存储介质，理想的存储密度高达2.6×10∧10/cm∧2。
钴纳米线阵列的制备和磁性
【摘 要】
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要具有纳米孔洞的氧化铝膜板上，用电化学的方法制备了钴纳米线有序阵列，磁性测量显示易磁化方向平行于纳米线，矫顽力较块材有很大提高，可作为垂直磁存储介质，理想的存储密度高达2.
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构国家重点实验室
【出 处】
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南京化工大学学报
【发表日期】
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2000年6期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划项目 !(G19990 64 5 0 8),,江苏省自然科学基金重点项目! (BK992 0 7)
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