【摘 要】
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基于密度泛函理论研究了压强对BiI3的结构、电子和光学性质的影响,研究过程中考虑了自选轨道耦合(SOC)效应.计算的能带结果表明:在0 GPa条件下,BiI3具有1.867电子伏特的间接
【机 构】
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河南师范大学物理与材料科学学院 新乡 453007
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基于密度泛函理论研究了压强对BiI3的结构、电子和光学性质的影响,研究过程中考虑了自选轨道耦合(SOC)效应.计算的能带结果表明:在0 GPa条件下,BiI3具有1.867电子伏特的间接带隙,随压强的提升带隙值降低;施加压强也能增强BiI3的光吸收系数和光电导率.在0 GPa条件下,BiI3的吸收系数为4×105 cm-1,光电导率为3×103Ω-1·cm-1,因此BiI3可作为光伏应用的备选材料.
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