流动注射-化学发光法测定痕量锇(Ⅳ)的研究及应用

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基于丙酮在吐温40一氢氧化钾一过氧化氢一O_s(Ⅳ)体系中增强O_s(Ⅳ)的化学发光,采用流动注射进样技术,建立了测定痕量锇(Ⅳ)的新的化学发光分析法.方法的线性范围为1.0X1~-8~1.0X10~-6O(Ⅳ)/mL检出限为2.0X10~-9g/m,对10X10~-7g/mLOs(Ⅳ)标准溶液测定11次的相对标准偏差为3.0%.拟定方法用于贵金属精矿中痕量锇的测定,结果满意。本文还进行了增敏机理的探讨. Based on the enhanced chemiluminescence of O_s (Ⅳ) with acetone over Tween 40-OH-O-O (Ⅳ) system, a new chemistry for the determination of trace osmium (Ⅳ) Luminescence analysis. The linear range of the method is 1.0X1 ~ -8 ~ 1.0X10 ~ -6O (Ⅳ) / mL with the detection limit of 2.0X10 ~ -9g / m, and the standard solution of 10X10 ~ -7g / mLOs The relative standard deviation was 3.0%. The proposed method was applied to the determination of trace osmium in precious metal concentrates with satisfactory results. This article also conducted a sensitization mechanism.
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