【摘 要】
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为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低
【基金项目】
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国家国际科技合作专项资助项目(2015DFE62900)
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为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10-13A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑。在电阻率为13Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率达到了20.64%,背面平均转化效率达到了19.52%。内量子效率的分析结果显示,离子注入太阳电池效率的增益主要来自长波段光谱响应的提升。
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