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电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能.根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括:NPT-IGBT、PT-IGBT、SDB-IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV-IGBT、HS-IGBT、RB-IGBT.