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通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变，实验生长了相应的样品，并通过双晶衍射（XRD）和拉曼（Raman）光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建，一是替代量子阱中的GaN垒层，二是作p型层的接触层。实验发现，该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和抑制电子泄露，而且降低p型接触层的欧姆接触电阻。且发现不用电子阻挡层情况下，其输出功率、PL光谱和I-V特性等都得到极大改善。