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采用等离子体化学气相沉积（RF—PECVD）技术，在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜，并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高，表征μc-Si：H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律，其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动。该实验结果可通过“表面扩散模型”得到合理解释。