【摘 要】
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介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMO
【机 构】
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西安理工大学自动化学院电子工程系,华东光电集成器件研究所 安徽蚌埠233042,西安理工大学自动化学院电子工程系,西安理工大学自动化学院电子工程系,华东光电集成器件研究所,西安理工大学自动化学院电子工
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介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时间也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。
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