SEU的二维数值模拟

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【摘要】

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本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍.运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single-Event Upset)

【作者】

：

宋哲王莉陆剑侠许仲德

【机构】

：

辽宁大学物理系,东北微电子研究所

【出处】

：

微处理机

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

SEU模拟 SOI 抗辐射 SEU Simulation SOI Irradiation

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本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍.运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single-Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性.

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