【摘 要】
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利用非平衡磁控溅射（UBMS）技术在硅基片上制备了无氢碳膜，并采用Raman光谱、X射线衍射、傅立叶变换光谱等手段对不同靶电流下沉积的薄膜的微观结构、沉积速率、粗糙度、表面接触
【机 构】
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西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
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利用非平衡磁控溅射（UBMS）技术在硅基片上制备了无氢碳膜，并采用Raman光谱、X射线衍射、傅立叶变换光谱等手段对不同靶电流下沉积的薄膜的微观结构、沉积速率、粗糙度、表面接触角及红外透过率进行了研究。试验结果表明：随着靶电流的增大，薄膜的沉积速率增大，薄膜中sp^3键含量增加，薄膜表面接触角增大，红外透过率增大；而薄膜的粗糙度随靶电流增加而减小。靶电流是影响非平衡磁控溅射制备无氢碳膜结构与性能的1个主要因素。
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