【摘 要】
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本文提出了一种低位线摆幅（LVBS）的低功耗SRAM结构。这种SRAM采用电荷分享方法降低线电压幅值，在写操作时使得位线电压摆幅减少了50％，从而显著降低了位线动态功耗。同时本文还分析
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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本文提出了一种低位线摆幅（LVBS）的低功耗SRAM结构。这种SRAM采用电荷分享方法降低线电压幅值，在写操作时使得位线电压摆幅减少了50％，从而显著降低了位线动态功耗。同时本文还分析了由于位线电压降低带来的静态噪声容限（SNM）等问题。实验结果表明相比较常规SRAM，LVBS SRAM可以节约30％的动态功耗。
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