【摘 要】
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利用将黄铜薄片放到Ar与O2混合气体中加热处理的方法制备出ZnO单晶纳米线。通过将纳米线组装成场效应晶体管(FET)的方法研究其内部的电子输运性能ZnO/Au界面处所形成的肖特基
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利用将黄铜薄片放到Ar与O2混合气体中加热处理的方法制备出ZnO单晶纳米线。通过将纳米线组装成场效应晶体管(FET)的方法研究其内部的电子输运性能ZnO/Au界面处所形成的肖特基结使其伏安Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示出整流行为。Ⅰ-Ⅴ特性强烈依赖于栅极电压(Vg)。即随着Vg增加,电流随之也增加,同时阈值电压也发生降低,显示出典型的n型导电性。
The ZnO single crystal nanowires were prepared by heating the brass flakes in Ar and O2 mixed gas. The internal electron transport properties were studied by assembling the nanowires into field effect transistors (FETs). The Schottky junction formed at the ZnO / Au interface made its volt-ampere I-V characteristic curve show rectifying behavior. The Ⅰ-Ⅴ characteristic strongly depends on the gate voltage (Vg). That is, as Vg increases, the current also increases, and the threshold voltage also decreases, showing a typical n-type conductivity.
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