电离辐射对EL-4细胞凋亡与坏死的影响

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目的 研究不同剂量电离辐射对EL-4细胞凋亡和细胞坏死的影响。方法 采用PI和Hoechst 33342双染、流式细胞术检测。结果 实验结果表明:给予50~200 mGy低剂量照射后6 h,EL-4细胞凋亡和坏死较对照组没有升高,而给予1.0~8.0 Gy大剂量X射线照射后6 h,细胞凋亡较对照组有明显升高,4.0 Gy以上剂量,细胞坏死显著升高。结论 一定剂量的电离辐射不仅可以诱导凋亡的产生,而且可直接导致细胞坏死,即细胞的死亡模式与受照剂量有关。

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