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利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响.在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns的InP PHEMT外延材料.
MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料
【摘 要】
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利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年5期
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