【摘 要】
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美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司目前正在生产氮化物基半导体器件用的3英寸直径半绝缘材料,即淀积在导电SiC衬底上的10—18μm厚的AlN单晶膜。该产品用作
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美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司目前正在生产氮化物基半导体器件用的3英寸直径半绝缘材料,即淀积在导电SiC衬底上的10—18μm厚的AlN单晶膜。该产品用作超高功率AlGaN GaNHEMT衬底,它还可用于高功率蓝光和紫外光发射体、LED及LD。TDI公司称,上述低缺陷AlN/S
Technologies and Devices International (TDI) of the United States is currently producing 3-inch diameter semi-insulating materials for nitride-based semiconductor devices, 10-18 μm thick AlN single crystal films deposited on conductive SiC substrates. The product is used as an ultrahigh-power AlGaN GaN HEMT substrate and is also used for high-power blue and UV emitters, LEDs and LDs. TDI said the above-mentioned low defect AlN / S
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