【摘 要】
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随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道器件的漏电越来越严重,导致芯片的发热现象更严重,极大降低了芯片的可靠性。基于HLMC 28 nm低功耗逻辑平台,研究了轻掺杂漏(LDD)流程中离
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)
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随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道器件的漏电越来越严重,导致芯片的发热现象更严重,极大降低了芯片的可靠性。基于HLMC 28 nm低功耗逻辑平台,研究了轻掺杂漏(LDD)流程中离子注入工艺条件对NMOSFET器件漏电的影响及物理机制。实验结果表明,通过优化口袋及预非晶化离子注入条件,可以显著改善器件漏电。同时借助半导体工艺及器件仿真工具TCAD,进一步研究了NMOSFET器件的漏电机理,与实验结果得到了很好的吻合。
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