半导体量子点的尺寸分布对其荧光的影响

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shidai19860115
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基于量子域模型,用类似Kane平均场方法和Lifshitz几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱,对直径为d的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述,研究表明,光荧光谱的线型在短波边不对称,与实验观测一致,尺寸服从一定的分布导致光荧光峰红移,可用于获得表观激子束缚能;尺寸分布对光荧光峰的宽度起重要作用。
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