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基于量子域模型，用类似Ｋａｎｅ平均场方法和Ｌｉｆｓｈｉｔｚ几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱，对直径为ｄ的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述，研究表明，光荧光谱的线型在短波边不对称，与实验观测一致，尺寸服从一定的分布导致光荧光峰红移，可用于获得表观激子束缚能；尺寸分布对光荧光峰的宽度起重要作用。