微加工气敏元件的结构设计与模拟分析

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提出了一种基于MEMS工艺的薄膜型气敏元件结构,对其工艺进行了阐述。该气敏元件结构主要包括5层。采用ANSYS对气敏元件结构进行热模拟分析,得到了该结构的温度场和中心点响应的较优结果:响应时间3s,达到稳态时间28s,薄膜中心点稳态温度359.013℃。
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技