【摘 要】
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采用放电等离子烧结制备了AlN/Mo/TiB2微波衰减材料。研究了TiB2的含量对复合材料的相组成、致密度、电阻率及介电性能的影响。利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微
【机 构】
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华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室
【基金项目】
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国家国际科技合作项目(2014DFR50570),唐山市科技计划项目(14130272a)
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采用放电等离子烧结制备了AlN/Mo/TiB2微波衰减材料。研究了TiB2的含量对复合材料的相组成、致密度、电阻率及介电性能的影响。利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能进行测试分析。结果表明:随着TiB2的含量的增加,复合陶瓷的致密度先增大后减小,当加入15wt%TiB2时,致密度达到最大,为98.71%。加入Ti B2有利于复合陶瓷介电常数和介电损耗的增加。从电导率测试结果可知,复合陶瓷的渗流阈值在Ti B2含量为15wt%。
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