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研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响，结果表明，稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长，掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后，晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0-11μm、0～16μm；平均晶粒尺寸下降，其中掺杂Gd2O3。后晶粒尺寸最小，为6．2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降，改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后，电位梯度显著提高，E1mA达到了427．5V／mm，改善了ZnO压敏