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在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器．当小孔尺寸为400nm×400nm时，在25mA驱动电流下，其最大输出光功率达到了0．3mw，功率密度约为2mW／μm^2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺，并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。
纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性
【摘 要】
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在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器．当小孔尺寸为400nm×400nm时，在25mA驱动电流下，其最大输出光功率达到了0．3mw，功率密度约为2mW／μm^
【机 构】
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中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年2期
【基金项目】
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中国科学院知识创新工程和国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA313060）资助项目
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