新型高性能调频发射机的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wly9007

【摘要】

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介绍了一种全新的FM调制器结构.该调制器基于小数分频锁相环技术,并在电荷泵单元中引入额外偏差电流消除电荷泵失配对带内噪声的影响.该芯片采用CSMC0.5μmDPTM CMOS工艺,测

【作者】

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曹政新李学初李振吴岳宋树贵熊绍珍

【机构】

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南开大学光电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年5期

【关键词】

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调频小数频率合成器带内相位噪声 FM fraction N frequency synthesizer in-band phase noise

【基金项目】

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天津市科委科技攻关计划（批准号：06YFGPGX08300）及国家自然科学基金（批准号：60437030）资助项目

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介绍了一种全新的FM调制器结构.该调制器基于小数分频锁相环技术,并在电荷泵单元中引入额外偏差电流消除电荷泵失配对带内噪声的影响.该芯片采用CSMC0.5μmDPTM CMOS工艺,测试结果表明,其SNR≥82dB,THD≤0.08,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz.此外,该芯片还采用自动频率调整的方法避免调节片外电感.该芯片的这些特点十分适合调频发射的要求.

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