【摘 要】
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采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火处理，然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极，从而
【基金项目】
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教育部留学回国人员科研启动基金资助项目 ,华南理工大学自然科学基金资助项目
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采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火处理，然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极，从而形成金属-绝缘体-氧化物-半导体(MIOS)双介质电容器结构．通过该薄膜电容器的充放电实验，研究薄膜的电荷存储特性．结果表明，该薄膜在不超对800℃下退火．其电荷存储能力主要与氧组分有关；氧空位越多，电荷存储能力越强。
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