【摘 要】
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在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中,通过合适选取溅射时氧氩的压力比,可以显著提高所得n-ZnO/p-Si异质结的光生短路电流,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响,从而可以
【机 构】
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中国科学院结构分析重点实验室,中国科学院结构分析重点实验室
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在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中,通过合适选取溅射时氧氩的压力比,可以显著提高所得n-ZnO/p-Si异质结的光生短路电流,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响,从而可以用这种方法明显提高其光电转化能力.即使是在已经进行了n型掺杂的ZnO薄膜(这里为ZnO:Al)中,改变溅射时氧氩比对光电效应的影响也很明显.通过实验,已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变,使得载流子浓度变化而导致的结果.在氧氩压力比约为1:3时,光电转化效率最高.
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