55SiCr线材热处理裂纹分析

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测定了55SiCr线材的化学成分和显微组织,用扫描电镜观察了断口的宏观形貌和微观形貌,结果表明,55SiCr线材表面横裂纹是由于热处理后所得到的屈氏体组织中有5~20μm的下贝氏体组织,组织不均匀性产生的裂纹和应力,导致55SiCr+取线材放置时裂纹扩展,发生断裂。 The chemical composition and microstructure of 55SiCr wire were measured. The macroscopic morphology and microstructure of the 55SiCr wire were observed by scanning electron microscopy. The results showed that the transverse cracks on the surface of 55SiCr wire were caused by heat treatment, 20μm lower bainite, cracks and stresses caused by the inhomogeneity of the structure, resulting in crack propagation and rupture when the 55SiCr + wire is placed.
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