采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H—SiCSBDs

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zeuswugeng

【摘要】

：

研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延，外延温度1580℃，最后得到了低

【作者】

：

陈刚秦宇飞柏松李哲洋韩平

【机构】

：

南京大学物理系,南京电子器件研究所,空军第一航空学院飞机战伤抢修技术研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2009年4期

【关键词】

：

碳化硅退火肖特基势垒理想因子势垒高度离子注入 4H-SiC anneal Schottky barrier ideal factor

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研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延，外延温度1580℃，最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni／4H—SiC肖特基势垒二极管的制造，采用了B＋离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端，然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的siOz作为场板介质。最终得到的Ni／4H—SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1．0

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