微阵列芯片的荧光光漂白特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:woshimaizi
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
微阵列技术为大量基因表达水平的同时监控提供了一种高效的手段。随着微阵列芯片朝着小型化、高通量和弱信号方向发展,荧光检测技术以其易寻址和高灵敏度等优势越来越受到世人关注。在微阵列技术中,人们通过检测微阵列芯片上不同位置斑点的荧光信号强度,可以得知微阵列芯片不同位置固定的已知序列探针与荧光染料标记的cDNA样品的杂交情况。对一张微阵列芯片多次扫描后,荧光染料发生光漂白,荧光强度发生衰减变化,它将为微阵列的数据分析带来误差。使用荧光浓度梯度微阵列芯片研究了芯片经多次扫描后荧光斑点强度的衰减情况,通过拟合相同荧光
其他文献
通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO:Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别
吸收是发光的前提条件,吸收变了,发光的其他特性也就随之而变.但是发光寿命的长短又会反过来影响吸收的多少,这不仅存在于光致发光中,而且是一个普遍规律.从电场引起的场致发
以8-羟基喹啉为配体的金属配合物是一种性能优良的有机电致发光材料,其中有关8-羟基喹啉铝(Alq3)研究已有大量报道,8-羟基喹啉锌(Znq2)研究还有待发展。介绍了两种以Znq2为基体的新
重点研究了蓝色有机电致发光材料OXD-7的合成路线及提高产率的方法,并用自行设计加工的升华提纯装蛊进行两次OXD-7的升华提纯,可使产物纯度达到99.2%。通过真空镀膜制作出结构为I
讨论了有机发光材料4,4’-bis(2,2'-diphenyl vinyl)-1,1’-biphenyl(DPVBi),在结构为ITO/N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine(NPB)/DPVBi/tfis-(8-hydroxyquinoline
在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中
采用5d-4f跃迁的稀土Ce^3+冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce—DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce—DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,
利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明:不同
为了避免早期无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的一些缺陷,如:“串扰”和“交叉”效应以及电路连接比较复杂,用两种方法实现了基于飞利浦公司生产的LPC2210控制芯片和晶门
通过合成丹酰氯的荧光单体硅酯前驱物,采用油包水的反相微乳液法,以丹酰氯的荧光单体硅酯前驱物为核材料,成功地制备了丹酰氯的荧光纳米颗粒,克服了传统方法制备核壳荧光纳米颗粒