CsPbI3复合TiO2纳米管阵列的制备及表征

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhang16432780
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为提高二氧化钛纳米管阵列(TiO2NTAs)的光电化学性能,对其进行半导体复合改性处理。采用阳极氧化法制备得到TiO2NTAs,热注入法制备得到全无机钙钛矿CsPbI3,浸渍法实现CsPbI3与TiO2NTAs的复合,制备得到不同浸渍次数的CsPbI3/TiO2NTAs。通过一系列光电性能测试表明,经CsPbI3复合改性处理后,TiO2NTAs的光电化学性能有明显的提高,且经4次浸渍得到的CsPbI3/TiO2NTAs光电性能最佳,其饱和光电流密度为0.92mA/cm2,约为TiO2NTAs的2.97倍,
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