真空微电子器件的物理考虑

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本文阐述在真空三极管尺寸减小到目前固体微电子器件常用的微米与亚微米量级时应考虑的物理问题。对于超高速器件来说,已证实在0.5μm 电极间距问的真空渡越时间为最好的固体材料中的2/3~1/15。与固体器件相比,真空器件对辐射损伤更不敏感,但能在更高温度环境下工作。 This article describes the physical issues to consider when reducing the size of a vacuum transistor to the micron and submicron scales commonly used in solid state microelectronic devices today. For ultra-high-speed devices, it has been demonstrated that the vacuum transit time between 0.5μm electrode spacing is 2/3 to 1/15 of the best solid material. Vacuum devices are less sensitive to radiation damage than solid devices, but operate at higher temperatures.
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