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针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实验结果显示其性能达到了人体放电模式的2级标准(HBM:3000V),机器模式3级标准(MM:400V).
亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计
【摘 要】
：
针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实
【机 构】
：
东南大学集成电路学院,南京芯力微电子有限公司南京
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2007年2期
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