【摘 要】
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采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3＋荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比
【机 构】
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厦门大学材料学院,福建省特种先进材料重点实验室
【基金项目】
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福建省科技重大专项（2005HZ02-2）, 福建省重大平台建设基金（2006L2003）资助项目
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采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3＋荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270～500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450～700 nm的单峰宽带,峰值位于525nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大,外加Al3＋置换Si4＋作为电荷补偿剂比外加
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