论文部分内容阅读
研究了势垒层掺杂的GaN基HEMT结构上的帽子层对该器件电学特性的影响。并对i-AlGaN,i-GaN,i-InGaN3种不同材料的帽子层进行比较。从模拟结果可知,i-AlGaN帽子层虽然提高了GaN基HEMT的阈值电压,但同时也提高了跨导和最大漏源饱和电流,在GaN基HEMT器件设计和工艺制造过程中选取i-AlGaN作为帽子层对于提高器件的电学性能来说具有一定的指导意义。