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在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行"接触"式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应.这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
STM“接触”式测量中的整流效应
【摘 要】
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在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行"接触"式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应.这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
【机 构】
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复旦大学材料科学系,上海,200433
【出 处】
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上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会
【发表日期】
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2004年5期
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