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用PIOS(Penning Ionization Opnieal Spectroseopy)方法首次观察到470～490nm间CS (A-X)13-2、14-3的发射带,发现此发射带偏重于在Ne/CS2中产生.这些谱带的产生可用二次碰撞模型加以解释.
CS2分子Penning电离的流动余辉光谱测量
【摘 要】
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用PIOS(Penning Ionization Opnieal Spectroseopy)方法首次观察到470～490nm间CS (A-X)13-2、14-3的发射带,发现此发射带偏重于在Ne/CS2中产生.这些谱带的产生可用二次碰撞模型加以解释.
【机 构】
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复旦大学物理系,上海200433
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1992年12期
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