【摘 要】
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本文对硅太阳电池的背场和背反射器进行了理论分析。据此,对硅太阳电池的铝合金P—P~+结和背反射器进行了大量的实验研究。结果指出:(1) 采用p=10～12 Ωcm,厚度250μm,(111)或
【机 构】
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云南师大太阳能研究所,云南师大太阳能研究所,航天工业部梅岭化工厂
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本文对硅太阳电池的背场和背反射器进行了理论分析。据此,对硅太阳电池的铝合金P—P~+结和背反射器进行了大量的实验研究。结果指出:(1) 采用p=10～12 Ωcm,厚度250μm,(111)或(100)的p—Si基片。铝层厚度d_ (al) 】2μm,在850℃下合金,所得P—P~+结深X_j (P—P~+)】2μm时,可获得满意的背场电池。铝背场与无背场的电池相比,其开路电压V_oc 可提高(40～60) mv (2) 在P～P+结上,真空蒸镀Al,Ag或Ti作为背反射器。实验证明,具有高反射率的Ag和
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