生产二硅化钼的反应气相渗透新技术

来源 :中国钼业 | 被引量 : 0次 | 上传用户：q542936575

【摘要】

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仔细研究了通过低温反应气相渗透途径生产二硅化铝（MOSi_2）的新工艺。在这种工艺中，把松散压制的粉末暴露到气态硅里，首先形成MoSi_2表面层，继而反应逐渐地向内部扩展。在1200℃温

【作者】

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金和玉

【出处】

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中国钼业

【发表日期】

：

1994年6期

【关键词】

：

反应气相渗透显微组织复合材料二硅化钼 MoSi_2 Reaction vapor infiltration Microstructure Compo

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仔细研究了通过低温反应气相渗透途径生产二硅化铝（MOSi_2）的新工艺。在这种工艺中，把松散压制的粉末暴露到气态硅里，首先形成MoSi_2表面层，继而反应逐渐地向内部扩展。在1200℃温度下，MOSi_2层以大约201μm／h的速率增厚，它是高温四方晶相。与化学气相沉积MoSi_2不同的是．它不存在剩余的硅或者钼。

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