【摘 要】
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中科院上海冶金研宄所研制成功离子注入高线性GaAs霍耳磁敏元件,并于1985年9月通过鉴定。 GaAs霍耳磁敏元件是根据半导体在磁场中产生的霍耳效应而制成的一种磁敏
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中科院上海冶金研宄所研制成功离子注入高线性GaAs霍耳磁敏元件,并于1985年9月通过鉴定。 GaAs霍耳磁敏元件是根据半导体在磁场中产生的霍耳效应而制成的一种磁敏
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