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本文介绍了采用双嵌套密勒补偿的四级全差动功率放大器。该放大器采用多级回路结构，它与常规的三级放大器相比较，引起的谐波失真至少在音频段比较小。为获得稳定性好的放大器，采用了多级回路结构的设计规范和条件。放大器在最小值为３Ｖ的单电源下工作。对于５Ｖ电源，功耗为１０ｍＷ。在１０ｋＨｚ和５０Ω负载的６Ｖ＿（ｐ－ｐ）差动输出信号下，ＴＨＤ为─８３ｄＢ。在１０ｋＨｚ和８Ω负载的４Ｖ＿（ｐ－ｐ）差动输出信号下，ＴＨＤ为─６８ｄＢ。该电路采用１．５μｍ单层多晶、双层金属、ｎ阱ＣＭＯＳ技术制造，芯片面积为０．６２５ｍｍ￣２