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本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥ ＬＤＤ ＭＯＳ工艺技术，ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□。上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥ ＬＤＤ ＮＭＯＳ吕件及其Ｅ／Ｄ ＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好。