【摘 要】
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As an important wide-bandgap semiconductor,gallium nitride(GaN)has attracted considerable attention.This paper describes the use of confocal Raman spectroscopy
【机 构】
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StateKeyLaboratoryofPrecisionMeasuringTechnologyandInstruments,StateKeyLaboratoryofSeparationMembran
【基金项目】
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the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51575389 and 51761135106),the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2016YFB1102203),the State Key Laboratory of Pre
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As an important wide-bandgap semiconductor,gallium nitride(GaN)has attracted considerable attention.This paper describes the use of confocal Raman spectroscopy to characterize undoped GaN,n-type GaN,and p-type GaN through depth profiling using 405-,532-,a
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