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采用HHNEC0．18p．m标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WO。阻变材料的操作特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，满足了单极（Unipolar）与双极（Bipolar）兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了置位（set）过程需要字线限流的问题，进而可以实现包含‘0’和‘1’多位数据的并行写入。芯片采用高低两种电压设计，同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。