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因晶体硅是间接带隙半导体材料，其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收。为此，引入金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备的ZnO薄膜，并通过改变掺杂流量和沉积时间调节ZnO：B（BZO）薄膜的光学和电学性能。将BZO薄膜用于硅异质结（SHJ）太阳电池的背反射电极，相比于传统结构，电池的反射率和外部量子效率在近红外波段得到显著改善。为进一步解释外量子效率增加的原因，在四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法制绒的硅衬底上沉积BZO薄膜，得到了新型微纳米嵌套结构，并对其光吸收进行TN试分析。