【摘 要】
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During large diameter Czochralski silicon growth, heat zone and argon flow influence the formation of defects in silicon crystal by changing the distribution of
【机 构】
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SemiconductorMaterialsResearchInstitute
【基金项目】
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Hebei Province Foundation;国家自然科学基金
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During large diameter Czochralski silicon growth, heat zone and argon flow influence the formation of defects in silicon crystal by changing the distribution of temperature. Different silicon crys tals with various density of grown-in defects were grown b
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