Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

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本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0—0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0—0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长。采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能。
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