【摘 要】
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针对硫系玻璃（IRG204）的低软化点特点,为研究等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD）在硫系玻璃基底低温沉积薄膜的可行性以及工艺条件,通过氩离子轰击工艺确定基底可承受的离子辅助
【机 构】
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西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
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针对硫系玻璃（IRG204）的低软化点特点,为研究等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD）在硫系玻璃基底低温沉积薄膜的可行性以及工艺条件,通过氩离子轰击工艺确定基底可承受的离子辅助轰击强度和时间,并在此基础上,以100℃的温度分别制备了SiN_x,SiO_xN_y和SiO_xF_y薄膜.采用椭偏仪检测薄膜的折射率和厚度,傅里叶红外光谱仪检测薄膜的红外透过率,按GJB 2485-95标准对膜层进行耐摩擦测试.结果表明：氩离子清洗工艺中,射频功率为300 W,Ar气流量为50sccm,压强为30Pa及轰击时间
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