不同碳黑填料含量2D—SiCf/SiC复合材料介电及雷达吸波性能研究

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对先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备的含碳黑填料2D—SiCf/SiC复合材料介电以及雷达吸波性能进行研究。研究表明,由于KD-I型SiC纤维表面具有连续碳涂层,不能直接用于吸波材料,需通过空气热处理手段将其除去。对纤维表面去碳后制成的不同碳黑填料含量2D.SiCf/SiC复合材料微波介电常数进行测试,结果表明,随碳黑含量增加,复合材料介电常数明显增大,但由于碳黑的高比表面和先驱体溶液粘度的限制,复合材料中碳黑体积分数最大仅能达到7%~8%,介电常数难以继续增大,介电损耗低于0.3,并且介电常数频散效应不理
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