低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag含量对电性能的影响

来源 :广西大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong499

【摘要】

：

研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能.当内电极含Ag量为70%时,

【作者】

：

钟明峰苏达根庄严陈志雄

【机构】

：

华南理工大学,广州新日电子有限公司,广州大学

【出处】

：

广西大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

多层压敏电阻器低温烧结银含量晶粒电阻电性能 multilayer chip varistor low firing sliver diffusion

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研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能.当内电极含Ag量为70%时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和限制电压过分地升高,漏电流增大,非线性系数减小.反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中Ag含量的升高,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度Nd,导致ZnO晶粒电阻增大,以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加,使得多

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