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德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI 45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年实现量产的目标迈进。该公司负责先进CMOS开发的副总裁Ben McKee说,45nm节点最大的挑战是将氮氧化硅(SiON)栅极介电层微缩采用了浸没式光刻,但他们还是避免了昂贵的嵌入式锗硅(eSiGe)应力区或高k栅介电层;他说这些技术将用于制作无线IC的下一工艺节点器件。