低噪声场效应晶体管

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日本电气公司最近研制出一种在12千兆赫时噪声为1.4分贝、4千兆赫时为0.5分贝的卫星收发用低噪声砷化镓场效应晶体管。这种场效应晶体管采用0.3微米的栅极,既达到了低噪声又使性能均一化。截止频率在60千兆赫以上,12千兆赫时输出功率是25毫瓦。其价格几乎同该公司以往生产的 Nippon Electric recently developed a low-noise transceiver for receiving and transmitting low-gallium arsenide field-effect transistors at 1.4 GHz at 12 GHz and 0.5 dB at 4 GHz. This field-effect transistor uses a 0.3-micron gate, which achieves both low noise and uniform performance. The cutoff frequency is above 60 gigahertz and the output power is 25 milliwatts at 12 gigahertz. The price is almost the same as the company’s production
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